观点提要:
1、行业走出下行通道,2024年或将迈入新(xīn)一轮成長(cháng)周期
2、创新(xīn)引领,先进封装/存储/材料凸显
3、國(guó)产替代正当时
2023→2024
有(yǒu)望开启新(xīn)一轮成長(cháng)周期
2023 年上半年,全球半导體(tǐ)市场受到了多(duō)重因素的影响,导致销售额出现明显下滑。其中最主要原因是客户端个人電(diàn)脑、消费電(diàn)子、服務(wù)器行业的库存修正。此外贸易摩擦、全球芯片制造能(néng)力短缺等因素,都给行业带来了不确定性和压力。2023 年下半年,行业迎来反弹,客户端行业库存调整基本完成,需求开始恢复;汽車(chē)和智能(néng)设备等新(xīn)兴行业的需求增長(cháng)迅速,推动了芯片的出货量。行业进入了一个新(xīn)的增長(cháng)周期。
2024年,随着信息技术时代向人工智能(néng)时代加速发展,重构生产效率、交互方式等经济活动各环节,以AI手机、AI PC、AI PIN等為(wèi)代表的终端创新(xīn)不断涌现,AI技术的快速发展催生高算力芯片的需求,因此异构集成、新(xīn)材料等有(yǒu)望迎来快速发展。
先进封装/存储/材料,创新(xīn)技术引领
一、先进封装加速迭代,迈向2.5D3D封装技术
先进封装除了实现传统封装的机械保护、電(diàn)气与机械连接和散热功能(néng)外,还肩负着提升芯片性能(néng)的作用(yòng)。前道晶圆加工技术迭代趋于瓶颈,尤其在美、日、荷相继加大设备制裁的背景下,我國(guó)先进制程短期受阻,先进封装有(yǒu)望成為(wèi)弯道超車(chē)的重要技术路線(xiàn)。
二、HBM赋能(néng)AI计算,龙头加速布局
随着生成式人工智能(néng)实现爆发式发展,数据吞吐量巨大,HBM(高带宽存储器)成為(wèi)AI芯片的标配。目前主流的大模型训练芯片英伟达A100、H100,谷歌TPU5、AMD MI300 等均采用(yòng)HBM,预计截至到今年底HBM全球市场规模将达150亿美元。
三、功率半导體(tǐ)在新(xīn)能(néng)源领域受益显著
由于新(xīn)能(néng)源、工业自动化、数据中心的渗透率不断提高,对用(yòng)電(diàn)效率与热管理(lǐ)提出较高要求,使得IGBT、MOSFET(硅基、SiC)等中高功率器件需求旺盛,其中 IGBT(<100KHz,600-6500V)适用(yòng)于轨道交通、工控、新(xīn)能(néng)源、汽車(chē)電(diàn)子等高压中低频领域;MOSFET(100-1000KHz,20-1200V)适用(yòng)于消费電(diàn)子、通信、汽車(chē)電(diàn)子等高频中高压领域。
四、MEMS应用(yòng)空间潜力巨大
MEMS(微机電(diàn)系统)被广泛集成到汽車(chē)電(diàn)子、智能(néng)家居、智能(néng)電(diàn)网等物(wù)联网应用(yòng)领域。随着大量创新(xīn)产品及应用(yòng)的发展,以及MEMS在工业生产及日常生活的普及化,MEMS市场迎来新(xīn)的增長(cháng)机遇。据Yole预测,到2026年,MENS传感器全球市场规模将增長(cháng)至 128 亿美元,年均复合增長(cháng)率為(wèi)6.1%。
行业展望,國(guó)产替代正当时
國(guó)内半导體(tǐ)行业市场规模快速增長(cháng),需求旺盛,但高端产品國(guó)内供给不足。随着美國(guó)限制力度不断加大,当前國(guó)产替代迫在眉睫。人工智能(néng)将成為(wèi)半导體(tǐ)下一个超级周期的催化剂,随着新(xīn)能(néng)源汽車(chē)、光伏、5G、工业、智能(néng)化的市场推动,预计产业链有(yǒu)望自上而下开启第二轮國(guó)产化周期,國(guó)产替代空间将进一步打开。
风险提示:
1、宏观经济下行获将影响行业复苏进度:当前電(diàn)子行业处于周期底部,而國(guó)内经济增長(cháng)压力依然较大,可(kě)能(néng)影响下游市场需求的恢复速度和去库存进度,对收入增長(cháng)和盈利水平产生不利影响,无法支撑较大规模的资本支出。
2、外部制裁升级风险:我國(guó)電(diàn)子行业对全球科(kē)技产业链仍具有(yǒu)依赖性,若美國(guó)、日本、荷兰等國(guó)的制裁进一步升级,可(kě)能(néng)会对行业产业升级和扩张造成不良影响。
3、下游需求对产业拉动效应不及预期:消费类市场如智能(néng)手机、平板等产品存在创新(xīn)乏力、换机周期较長(cháng)等风险;AI领域存在未来行业竞争加剧、产品不能(néng)有(yǒu)效与应用(yòng)实践相结合等风险,可(kě)能(néng)会影响其对電(diàn)子行业发展的带动效应。
4、新(xīn)技术、新(xīn)工艺、新(xīn)产品无法如期产业化:半导體(tǐ)行业属于技术密集型行业,需紧跟整个行业的发展趋势,及时、高效地研究开发符合市场和客户需求的新(xīn)技术、新(xīn)工艺及新(xīn)产品。如果在技术研发上出现一些波折,不能(néng)及时加大资本投入进行新(xīn)技术的研发,或不能(néng)及时購(gòu)入先进设备,将面临新(xīn)技术、新(xīn)工艺、新(xīn)产品无法如期产业化的风险。
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